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            影響EDI運行因素及水質控制
            發布時間:2017-08-07 15:22:44    

            影響EDI運行因素:

            (1)EDI進水電導率的影響。在相同的操作電流下,隨著原水電導率的增加EDI對弱電解質的去除率減小,出水的電導率也增加。如果原水電導率低則離子的含量也低,而低濃度離子使得在淡室中樹脂和膜的表面上形成的電動勢梯        度也大,導致水的解離程度增強,極限電流增大,產生的H+和OH-的數量較多,使填充在淡室中的陰、陽離子交換樹脂的再生效果良好。
            (2)工作電壓-電流的影響。工作電流增大,產水水質不斷變好。但如果在增至最高點后再增加電流,由于水電離產生的H+和OH-離子量過多,除用于再生樹脂外,大量富余離子充當載流離子導電,同時由于大量載流離子移動過程        中發生積累和堵塞,甚至發生反擴散,結果使產水水質下降。
            (3)濁度、污染指數(SDI)的影響。EDI組件產水通道內填充有離子交換樹脂,過高的濁度、污染指數會使通道堵塞,造成系統壓差上升,產水量下降。
            (4)硬度的影響。如果EDI中進水的殘存硬度太高,會導致濃縮水通道的膜表面結垢,濃水流量下降,產水電阻率下降;影響產水水質,嚴重時會堵塞組件濃水和極水流道,導致組件因內部發熱而毀壞。
            (5)TOC(總有機碳)的影響。進水中如果有機物含量過高,會造成樹脂和選擇透過性膜的有機污染,導致系統運行電壓上升,產水水質下降。同時也容易在濃縮水通道形成有機膠體,堵塞通道。
            (6)進水中CO2的影響。進水中CO2生成的HCO3-是弱電解質,容易穿透離子交換樹脂層而造成產水水質下降。
            (7)總陰離子含量(TEA)的影響。高的TEA將會降低EDI產水電阻率,或需要提高EDI運行電流,而過高的運行電流會導致系統電流增大,極水余氯濃度增大,對極膜壽命不利。
            另外,進水溫度、pH值、SiO2以及氧化物亦對EDI系統運行有影響。



            EDI系統進水水質控制:

            (1)進水電導率的控制。嚴格控制前處理過程中的電導率,使EDI進水電導率小于40μS/cm,可以保證出水電導率合格以及弱電解質的去除。
            (2)工作電壓-電流的控制。系統工作時應選擇適當的工作電壓-電流。同時由于EDI凈水設備的電壓-電流曲線上存在一個極限電壓-電流點的位置,與進水水質、膜及樹脂的性能和膜對結構等因素有關。為使一定量的水電離產生              足夠量H+和OH-離子來再生一定量的離子交換樹脂,選定的EDI凈水設備的電壓-電流工作點必須大于極限電壓-電流點。
            (3)進水CO2的控制?稍赗O前加堿調節pH,最大限度地去除CO2,也可用脫氣塔和脫氣膜去除CO2。
            (4)進水硬度的控制?山Y合除CO2,對RO進水進行軟化、加堿;進水含鹽量高時,可結合除鹽增加一級RO或納濾。
            (5)TOC的控制。結合其他指標要求,增加一級RO來滿足要求。
            (6)濁度、污染指數的控制。濁度、污染指數是RO系統進水控制的主要指標之一,合格的RO出水一般都能滿足EDI的進水要求。
            (7)Fe的控制。運行中控制EDI進水的Fe低于0.01  礦泉水設備
            mg/L。如果樹脂已經發生了“中毒”,可以用酸溶液作復蘇處理,效果比較好。[1]  
            (8) EDI系統進水水質要求
            綜合以上各方面的分析,對于EDI進水的水質要求如表所示,可以保證其出水指標達到電子行業半導體制造需要的高純水的要求。
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